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BSS138

Multiple (onsemi, Nexperia, Diodes Inc, Vishay) · MOSFET · SOT-23 (3-lead) · SMD

档案 bss138 收录日期: 2026 年 8 月 30 日

生命周期: 量产中
供货风险: 低

规格表

厂商规格书摘录

类型N 沟道增强型 MOSFET,逻辑电平
Vds50 V
Id25 °C 连续 200 mA
Rds(on)Vgs = 10 V 时 3.5 Ω,4.5 V 时 6 Ω
Vgs(th)0.8 V 至 1.5 V
栅极电荷总电荷约 1.5 nC
功耗25 °C 时 300 mW
公差Rds(on) ±20 % lot spread
额定电压 / 应力50 V Vds, ±20 V Vgs
生命周期 量产中
封装尺寸工程图:BSS138 SOT-23 (3-lead)
SOT-23 (3-lead) 封装尺寸线稿,单位为毫米。尺寸取自厂商规格书推荐焊盘一节。
规格书出处onsemi BSS138 datasheet, rev. 2023-05, figs. 1-3 and the transfer characteristic showing the threshold spread band
厂商Multiple (onsemi, Nexperia, Diodes Inc, Vishay)
安装方式SMD

替代图谱

3 替代型号

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选型建议

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双向电平转换及其限制

栅极接低压侧电源、源极接低压侧信号、漏极接高压侧信号,两侧各加 10 kΩ 上拉,就是一个可用的 3.3 V 到 5 V I2C 转换器。限制在速度:10 kΩ 上拉配约 20 pF 总线电容,上升沿时间常数 200 ns,400 kHz I2C 从容,1 MHz 就不行。把上拉降到 2.2 kΩ 可提速,代价是低电平时的静态电流增加。

6 Ω 导通电阻在这里无所谓

电平转换中电流是微安级,6 Ω 沟道电阻完全无关——信号速度由上下拉决定,不是由 FET 决定。这就是 BSS138 在其最常见应用中 Rds(on) 差并不重要的原因,也是换用更低阻器件不会改善电路的原因。

不是功率开关

200 mA 乘 3.5 Ω 即 0.14 W,发生在热阻约 350 °C/W 的 SOT-23 内,温升 50 °C。器件在 25 °C 下额定 300 mW,因此 200 mA 确实是上限,而且只有在焊盘良好时才成立。超过 100 mA 连续就应改用 AO3400A 一类低 Rds(on) 器件,不要硬推 BSS138。

Sources(参考来源)

Vishay Siliconix — https://www.vishay.com/docs/62253/sq9945cey.pdf · Texas Instruments — https://www.ti.com/lit/an/slva840/slva840.pdf · NIST — https://www.nist.gov/standardsgov/compliance-faqs-rohs

采购与供货 — 供货风险 BSS138 至少有五家主要厂商及众多亚洲供应商多源供货,单价几美分,此料号没有实质供应风险,这也是它成为业余与工业界默认电平转换管的原因之一。SOT-23 引脚定义在各家之间一致,替换时通常无需改板,只需复核阈值电压档。
引脚与操作 标准 SOT-23 MOSFET 引脚:1 脚栅极、2 脚源极、3 脚漏极,单脚一侧为栅极。固有体二极管由源指向漏,在双向电平转换中这个二极管不是寄生元件——正是它在高压侧被拉低时把低压侧拉下来。

仅为工程信息。任何替代方案在定板前,都应与厂商规格书及你的实际工况核对。 本页不含任何采购报价或推荐供应商链接。