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2N7002

Multiple (onsemi, Nexperia, Diodes Inc, Vishay) · MOSFET · SOT-23 (3-lead) · SMD

档案 2n7002 收录日期: 2026 年 9 月 21 日

生命周期: 量产中
供货风险: 低

规格表

厂商规格书摘录

类型N 沟道增强型 MOSFET,小信号
Vds60 V
Id25 °C 连续 300 mA
Rds(on)Vgs = 10 V 时 1.2 Ω,5 V 时 1.9 Ω
Vgs(th)1.0 V 至 2.5 V
栅极电荷总电荷约 1.0 nC
功耗25 °C 时 200 mW
公差Rds(on) ±20 % lot spread
额定电压 / 应力60 V Vds, ±20 V Vgs
生命周期 量产中
封装尺寸工程图:2N7002 SOT-23 (3-lead)
SOT-23 (3-lead) 封装尺寸线稿,单位为毫米。尺寸取自厂商规格书推荐焊盘一节。
规格书出处onsemi 2N7002 datasheet, rev. 2023-01, fig. 2 transfer characteristics showing the threshold spread band and the capacitance curves
厂商Multiple (onsemi, Nexperia, Diodes Inc, Vishay)
安装方式SMD

替代图谱

3 替代型号

本档案的可互换型号。实心节点表示本站已收录档案;空心节点是有效替代但尚未收录。

选型建议

本页为唯一正文,无其他段落

阈值离散性才是真正的规格

Vgs(th) 范围为 1.0-2.5 V,跨度 1.5 V。3.3 V 驱动下最差的管子只有 0.8 V 过驱动,其 Rds(on) 可能是典型值的 5-10 倍;最好的管子则完全开启。做 LED 或继电器驱动时这种不一致无害;凡需要电流可预测的场合,应选阈值更紧的器件或把栅极驱动到 10 V。

ESD 敏感性

标准 2N7002 栅氧很薄且无集成保护;栅极额定 ±20 V 直流,但 ESD 瞬态只能承受几十伏。任何连到连接器的栅极节点都应加串联电阻与钳位,或改用带保护的 2N7002K。此器件的操作损伤常表现为栅极微安级漏电,足以让管子处于部分导通状态。

60 V 与 300 mA 何时够用

60 V 耐压配微小 SOT-23 本体,使之成为驱动继电器、蜂鸣器、小型电磁铁和约 100 mA 以内 LED 串的默认选择,也可做小电流电平转换的通路元件。超过 100 mA 连续时,它在性价比上略逊于 BSS138,在性能上则明显不敌 AO3400A。

Sources(参考来源)

Vishay Siliconix — https://www.vishay.com/docs/62253/sq9945cey.pdf · Texas Instruments — https://www.ti.com/lit/an/slva840/slva840.pdf · NIST — https://www.nist.gov/standardsgov/compliance-faqs-rohs

采购与供货 — 供货风险 2N7002 是第二货源最广的小信号 MOSFET 之一,至少八家厂商有兼容件,量价低于两美分,供应风险可忽略。多数兼容件在 Rds(on) 与栅极阈值上存在批次差异,做精密开关或低电压驱动时仍应核对具体厂商的规格书,不要直接沿用原始器件的最小驱动电压。
引脚与操作 SOT-23,1 脚栅极、2 脚源极、3 脚漏极,与 BSS138、AO3400A 排列相同。阈值范围 1.0-2.5 V 意味着 3.3 V 驱动下有的管子完全开启、有的只部分开启——这种离散性表现为不同板子之间行为不一致。

仅为工程信息。任何替代方案在定板前,都应与厂商规格书及你的实际工况核对。 本页不含任何采购报价或推荐供应商链接。