Infineon (formerly International Rectifier) · MOSFET · TO-220AB · Through-hole
档案 irlz44n 收录日期: 2026 年 10 月 31 日
生命周期: 量产中
供货风险: 低
厂商规格书摘录
| 类型 | N 沟道增强型 MOSFET,逻辑电平 |
|---|---|
| Vds | 55 V |
| Id | 25 °C 连续 47 A,100 °C 时 33 A |
| Rds(on) | Vgs = 5 V 时 22 mΩ,4 V 时 25 mΩ |
| Vgs(th) | 1.0 V 至 2.0 V |
| 栅极电荷 | Vgs = 5 V 时总电荷 48 nC |
| 功耗 | 25 °C 壳温 110 W,25 °C 自由空气 3.8 W |
| 公差 | Rds(on) ±10 % typical lot spread |
| 额定电压 / 应力 | 55 V Vds, ±16 V Vgs |
| 生命周期 | 量产中 |
| 规格书出处 | Infineon IRLZ44N datasheet, rev. 2023-08, figs. 1-4 and the SOA chart, plus the TO-220 thermal resistance table |
|---|---|
| 厂商 | Infineon (formerly International Rectifier) |
| 安装方式 | Through-hole |
3 替代型号
本档案的可互换型号。实心节点表示本站已收录档案;空心节点是有效替代但尚未收录。
IRFZ44N 尚未收录
标准阈值的兄弟型号。同一 55 V 47 A 芯片,但 Rds(on) 在 10 V 下标定,5 V 时约 45 mΩ——翻倍。价格只有一半,也是本类目最常见的错误替换:在面包板上用 5 V 能用,量产时过热。
IRLB8721PBF 尚未收录
Infineon 30 V 100 A 逻辑电平 TO-220,4.5 V 时 4.5 mΩ。导通性能好得多,但耐压仅 30 V,属 12 V 与 24 V 器件而非 48 V。向上替换前先核对电流路径电压。
STP55NF06L 尚未收录
ST 60 V 55 A 逻辑电平 MOSFET,5 V 时 18 mΩ。性能略优、耐压更高;引脚为标准 TO-220 的 G-D-S 排列,机械上可直接替换,无需改动。
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L 后缀表示芯片按低阈值工艺制造并在 5 V、4 V 栅压下标定,在低开关频率下完全解决 5 V 单片机直驱问题。超过约 20 kHz 后 48 nC 栅极电荷成为问题:5 V 驱动经典型 100 Ω GPIO 阻抗形成 4.8 µs 的转换时间,20 kHz 下等于十分之一的周期耗在线性区。20 kHz 以上应使用栅极驱动器。
110 W 是在 25 °C 壳温下给出,需要无限大散热器。自由空气中同一器件额定 3.8 W。真正的设计数据是 1.5 °C/W 的结到壳热阻加上你的散热器;22 mΩ、10 A 时导通损耗 2.2 W,在 40 °C 环境下要把结温控制在 100 °C 以内,约需 5 °C/W 的散热器。
±16 V 栅极额定意味着 12 V 驱动可用、20 V 不行。半桥应用中,这一代 MOSFET 较慢的体二极管恢复特性有影响:反向恢复约 100-200 ns,两只管子只要有瞬间同时导通就会产生直通电流。请设置至少 300 ns 的死区,或选择体二极管快恢复的器件。
Vishay Siliconix — https://www.vishay.com/docs/62253/sq9945cey.pdf · NIST — https://www.nist.gov/standardsgov/compliance-faqs-rohs
| 采购与供货 — 供货风险 | TO-220 逻辑电平 MOSFET 由 Infineon、ST、onsemi、东芝、Vishay 及多家中国厂商生产,引脚兼容件广泛可得。主要风险不是缺货而是 TO-220 功率 MOSFET 市场的仿冒,问题相当严重;凡真正切换大电流的场合请走授权渠道。 |
|---|---|
| 引脚与操作 | 标准 TO-220AB:1 脚栅极、2 脚漏极、3 脚源极,金属散热片与漏极电气相连。这个连接正是陷阱:不加绝缘垫把两只管子拧在同一散热器上等于把它们的漏极短接,在半桥电路中就是电源直接短路。 |
仅为工程信息。任何替代方案在定板前,都应与厂商规格书及你的实际工况核对。 本页不含任何采购报价或推荐供应商链接。