跳到元件总表
PartVaultgathered.top

IRLZ44N

Infineon (formerly International Rectifier) · MOSFET · TO-220AB · Through-hole

档案 irlz44n 收录日期: 2026 年 10 月 31 日

生命周期: 量产中
供货风险: 低

规格表

厂商规格书摘录

类型N 沟道增强型 MOSFET,逻辑电平
Vds55 V
Id25 °C 连续 47 A,100 °C 时 33 A
Rds(on)Vgs = 5 V 时 22 mΩ,4 V 时 25 mΩ
Vgs(th)1.0 V 至 2.0 V
栅极电荷Vgs = 5 V 时总电荷 48 nC
功耗25 °C 壳温 110 W,25 °C 自由空气 3.8 W
公差Rds(on) ±10 % typical lot spread
额定电压 / 应力55 V Vds, ±16 V Vgs
生命周期 量产中
封装尺寸工程图:IRLZ44N TO-220AB
TO-220AB 封装尺寸线稿,单位为毫米。尺寸取自厂商规格书推荐焊盘一节。
规格书出处Infineon IRLZ44N datasheet, rev. 2023-08, figs. 1-4 and the SOA chart, plus the TO-220 thermal resistance table
厂商Infineon (formerly International Rectifier)
安装方式Through-hole

替代图谱

3 替代型号

本档案的可互换型号。实心节点表示本站已收录档案;空心节点是有效替代但尚未收录。

选型建议

本页为唯一正文,无其他段落

L 后缀的意义及其极限

L 后缀表示芯片按低阈值工艺制造并在 5 V、4 V 栅压下标定,在低开关频率下完全解决 5 V 单片机直驱问题。超过约 20 kHz 后 48 nC 栅极电荷成为问题:5 V 驱动经典型 100 Ω GPIO 阻抗形成 4.8 µs 的转换时间,20 kHz 下等于十分之一的周期耗在线性区。20 kHz 以上应使用栅极驱动器。

110 W 是壳温额定

110 W 是在 25 °C 壳温下给出,需要无限大散热器。自由空气中同一器件额定 3.8 W。真正的设计数据是 1.5 °C/W 的结到壳热阻加上你的散热器;22 mΩ、10 A 时导通损耗 2.2 W,在 40 °C 环境下要把结温控制在 100 °C 以内,约需 5 °C/W 的散热器。

栅极驱动与体二极管

±16 V 栅极额定意味着 12 V 驱动可用、20 V 不行。半桥应用中,这一代 MOSFET 较慢的体二极管恢复特性有影响:反向恢复约 100-200 ns,两只管子只要有瞬间同时导通就会产生直通电流。请设置至少 300 ns 的死区,或选择体二极管快恢复的器件。

Sources(参考来源)

Vishay Siliconix — https://www.vishay.com/docs/62253/sq9945cey.pdf · NIST — https://www.nist.gov/standardsgov/compliance-faqs-rohs

采购与供货 — 供货风险 TO-220 逻辑电平 MOSFET 由 Infineon、ST、onsemi、东芝、Vishay 及多家中国厂商生产,引脚兼容件广泛可得。主要风险不是缺货而是 TO-220 功率 MOSFET 市场的仿冒,问题相当严重;凡真正切换大电流的场合请走授权渠道。
引脚与操作 标准 TO-220AB:1 脚栅极、2 脚漏极、3 脚源极,金属散热片与漏极电气相连。这个连接正是陷阱:不加绝缘垫把两只管子拧在同一散热器上等于把它们的漏极短接,在半桥电路中就是电源直接短路。

仅为工程信息。任何替代方案在定板前,都应与厂商规格书及你的实际工况核对。 本页不含任何采购报价或推荐供应商链接。