IRF9540N
Infineon (formerly International Rectifier) · MOSFET · TO-220AB · Through-hole
档案 irf9540n 收录日期: 2026 年 10 月 18 日
生命周期: 量产中
供货风险: 低
规格表
厂商规格书摘录
| 类型 | P 沟道增强型 MOSFET |
|---|---|
| Vds | -100 V |
| Id | 25 °C 连续 -23 A |
| Rds(on) | Vgs = -10 V 时 117 mΩ |
| Vgs(th) | -2.0 V 至 -4.0 V |
| 栅极电荷 | Vgs = -10 V 时总电荷 97 nC |
| 功耗 | 25 °C 壳温 150 W |
| 公差 | Rds(on) ±10 % typical lot spread |
| 额定电压 / 应力 | -100 V Vds, ±20 V Vgs |
| 生命周期 | 量产中 |
| 规格书出处 | Infineon IRF9540N datasheet, rev. 2022-11, figs. 1-3 and the SOA chart for the P-channel die |
|---|---|
| 厂商 | Infineon (formerly International Rectifier) |
| 安装方式 | Through-hole |
替代图谱
3 替代型号
本档案的可互换型号。实心节点表示本站已收录档案；空心节点是有效替代但尚未收录。
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IRF4905 尚未收录
同为 -100 V P 沟道系列，-10 V 时 20 mΩ 而非 117 mΩ。导通性能五倍、价格约三倍；栅极电荷增至 180 nC，驱动需求翻倍。
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IRF9540NPBF 尚未收录
同一器件的无铅版本，目前只有它在出货。列出此条是因为旧原理图引用的是非 PBF 料号，采购有时会去追已停产的编号。
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FQP47P06 尚未收录
onsemi -60 V 47 A P 沟道，-10 V 时 26 mΩ。导通好得多但耐压更低；用于 24 V 或 36 V 轨，48 V 以上仍用 IRF9540N。
选型建议
本页为唯一正文，无其他段落
117 mΩ 是高边简化的代价
P 沟道高边开关不需要电荷泵也不需要自举，因此在负载电流不大的设计中得以沿用。5 A 时 117 mΩ 沟道耗散 2.9 W，需要散热器。同等电流下配电荷泵的 N 沟道高边方案只耗散 0.5 W。约 3 A 以下 P 沟道胜在简单；5 A 以上则 N 沟道加驱动器胜在发热。
阈值电压与栅极驱动范围
Vgs(th) 为 -2 V 至 -4 V，因此 5 V 逻辑驱动只能勉强开启：-5 V 时 Rds(on) 典型 200-250 mΩ，是规格书数值的两倍。此器件需要 10 V 栅极摆幅。若必须用 5 V 驱动，要么接受额外发热，要么加一只小 NPN 做电平转换把栅极摆到整轨。
体二极管方向对你并不有利
P 沟道器件的固有二极管由漏指向源，在高边开关中意味着把输出钳到输入电源轨。这对感性负载有用——可自动续流——但也意味着该开关无法让负载与反极性输入隔离。若需要反接保护，应在其前面串一只二极管或专用理想二极管控制器。
Sources（参考来源）
Vishay Siliconix — https://www.vishay.com/docs/62253/sq9945cey.pdf · NIST — https://www.nist.gov/standardsgov/compliance-faqs-rohs
| 采购与供货 — 供货风险 | 标准 P 沟道 TO-220 功率 MOSFET 多家可供，IRF9540N 是其中最常见的型号之一。与所有 TO-220 功率器件一样存在仿冒；切换电流超过 1 A 时请走授权分销。 |
|---|---|
| 引脚与操作 | TO-220AB，1 脚栅极、2 脚漏极、3 脚源极，散热片连漏极。P 沟道高边开关中源极接正电源、漏极接负载，因此散热片处于正电源电位——不加绝缘垫的散热器就带上了整个电源电压。 |
仅为工程信息。任何替代方案在定板前，都应与厂商规格书及你的实际工况核对。 本页不含任何采购报价或推荐供应商链接。