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AO3400A

Alpha & Omega Semiconductor · MOSFET · SOT-23 (3-lead) · SMD

档案 ao3400a 收录日期: 2026 年 8 月 15 日

生命周期: 量产中
供货风险: 中

规格表

厂商规格书摘录

类型N 沟道增强型 MOSFET
Vds30 V
Id25 °C 连续 5.7 A,70 °C 时 4.0 A
Rds(on)Vgs = 10 V 时 28 mΩ,4.5 V 时 33 mΩ,2.5 V 时 48 mΩ
Vgs(th)0.7 V 至 1.4 V
栅极电荷Vgs = 4.5 V 时总电荷 6.0 nC
功耗1 in² 铜、25 °C 时 1.4 W
公差Rds(on) ±15 % lot spread
额定电压 / 应力30 V Vds, ±12 V Vgs
生命周期 量产中
封装尺寸工程图:AO3400A SOT-23 (3-lead)
SOT-23 (3-lead) 封装尺寸线稿,单位为毫米。尺寸取自厂商规格书推荐焊盘一节。
规格书出处AOS AO3400A datasheet, rev. 2023-02, figs. 1-4 (output characteristics, transfer, Rds(on) vs Vgs) and the safe operating area chart
厂商Alpha & Omega Semiconductor
安装方式SMD

替代图谱

3 替代型号

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选型建议

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逻辑电平是 4.5 V,不是 3.3 V

Rds(on) 在 10 V 与 4.5 V 下给出,2.5 V 栏为 48 mΩ,几乎是 10 V 值的两倍。用 3.3 V 单片机引脚直接驱动很常见也确实能用,但实际工作点接近 2.5 V 那一栏:2 A 负载在 SOT-23 内耗散 2² x 0.048 = 0.19 W,而 SOT-23 在良好焊盘下热阻约 90 °C/W,温升 17 °C,尚可接受——直到你把 20 kHz 下的栅极驱动损耗也算进去。

栅极电荷决定驱动需求

4.5 V 下 6 nC,意味着 3.3 V GPIO 在 20 kHz 下需要平均栅极电流 6 nC x 20 kHz = 120 µA,远在单片机引脚预算内,低频直驱没问题。到 200 kHz 电流变为 1.2 mA,开关损耗开始压过导通损耗;此时应加栅极驱动器或降低频率。

限制因素更多是热而非电流

5.7 A 的亮眼数字是在 25 °C 壳温配大面积铜焊盘下测得。70 °C 环境的真实板子上只有 4.0 A,最小焊盘还会进一步降低。SOT-23 连续电流的实用上限约 2 A,除非你实测过焊盘温度;超过就应换 SOT-223 或 DPAK,不要跟封装较劲。

Sources(参考来源)

Vishay Siliconix — https://www.vishay.com/docs/62253/sq9945cey.pdf · Texas Instruments — https://www.ti.com/lit/an/slva840/slva840.pdf · NIST — https://www.nist.gov/standardsgov/compliance-faqs-rohs

采购与供货 — 供货风险 该确切料号为万代半导体单一货源,但 Infineon、Vishay、onsemi、Diodes 有大量引脚兼容替代。建议在设计阶段就认证至少一只焊盘兼容的替代管;2021-2022 年 SOT-23 MOSFET 交期曾达 12-20 周。
引脚与操作 标准 SOT-23 MOSFET 引脚为 1 脚栅极、2 脚源极、3 脚漏极,本系列中封装单脚一侧通常为栅极。体二极管为固有结构,由源指向漏,意味着除非源极为电位较高的一端,N 沟道 MOSFET 会反向导通。

仅为工程信息。任何替代方案在定板前,都应与厂商规格书及你的实际工况核对。 本页不含任何采购报价或推荐供应商链接。