SS34
Multiple (Vishay, onsemi, Taiwan Semi, MDD) · 二极管 · SMA (DO-214AC) · SMD
档案 ss34 收录日期: 2026 年 9 月 18 日
生命周期: 量产中
供货风险: 低
规格表
厂商规格书摘录
| 类型 | 肖特基势垒整流二极管 |
|---|---|
| 平均正向电流 | 引线温度 75 °C 时 3 A |
| 反向电压 | 40 V |
| 正向压降 | 3 A 时典型 0.5 V，最大 0.75 V |
| 反向恢复 | 无反向恢复（多数载流子器件） |
| 反向漏电 | 40 V、25 °C 时 0.5 mA；100 °C 时升至约 20 mA |
| 公差 | Not applicable (rectifier grade) |
| 额定电压 / 应力 | 40 V reverse |
| 生命周期 | 量产中 |
| 规格书出处 | Vishay SS32-SS36 datasheet, doc 88741, rev. 2023-06, fig. 1 forward voltage vs current and the reverse leakage vs temperature curve on p. 3 |
|---|---|
| 厂商 | Multiple (Vishay, onsemi, Taiwan Semi, MDD) |
| 安装方式 | SMD |
替代图谱
3 替代型号
本档案的可互换型号。实心节点表示本站已收录档案；空心节点是有效替代但尚未收录。
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SK34 尚未收录
同为 3 A 40 V 级别，芯片不同。正向压降通常高 0.05-0.1 V，3 A 时多出 0.15-0.3 W 热量——密闭机壳内不可忽视，自由空气中无所谓。
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MBRS340T3G 尚未收录
onsemi 3 A 40 V 肖特基，SMB 封装而非 SMA。本体更大、热阻更低，更适合 3 A 连续工作。焊盘不兼容。
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SS34L 尚未收录
低漏电版本，高温反向漏电约低一个数量级。当二极管跨接电池或已充电电容时选它——100 °C 下 20 mA 漏电即 0.8 W 的真实损耗。
选型建议
本页为唯一正文，无其他段落
无反向恢复不等于无损耗
肖特基靠多数载流子导电，没有存储电荷要清除，因此开关损耗基本只剩结电容。这就是 SS34 能跑 200 kHz 而 1N4007 连 20 kHz 都不行的原因。代价是反向漏电更高，每升高约 60 °C 增加约 10 倍，同时约 200 pF 的结电容会在每个开关边沿产生尖峰。
高温漏电是隐性成本
25 °C、40 V 下 0.5 mA 不值一提；100 °C 时约 20 mA，即在一只正向只额定 3 A 的器件里耗散 0.8 W。在发热的升压变换器中，这个漏电可能占据损耗预算的主要部分，更糟的是它构成正反馈：漏电加热芯片，高温又加剧漏电。
仅适用于低压设计
40 V 耐压是降额后用于 24 V 轨的器件，不是 36 V 轨的。肖特基击穿是突变的，且没有可依赖的雪崩能力，40 V 器件上出现 30 V 瞬态就可能损坏。48 V 系统应选 60 V 或 100 V 肖特基，或接受超快恢复硅管更高的正向压降。
Sources（参考来源）
Vishay Semiconductors — https://www.vishay.com/docs/81857/1n4148.pdf · Texas Instruments — https://www.ti.com/lit/an/slva840/slva840.pdf · NIST — https://www.nist.gov/standardsgov/compliance-faqs-rohs
| 采购与供货 — 供货风险 | SS34 有十家以上厂商、跨多国生产，是各家目录里默认的 3 A 肖特基。因无单点风险，价格竞争激烈，低端质量差异最大；若用于靠近市电或安全相关的通路，请选品牌件。 |
|---|---|
| 引脚与操作 | 有极性：SMA 本体一端有阴极色带。降压变换器中负极接开关节点、正极接地；装反会在下一个开关周期把输入电压整个加到输出电容上。SMA 与 SMB 外形尺寸相近，换料时先核对本体尺寸，再核对色带位置，两步都过再贴。 |
仅为工程信息。任何替代方案在定板前，都应与厂商规格书及你的实际工况核对。 本页不含任何采购报价或推荐供应商链接。