onsemi · 二极管 · SOD-123 · SMD
档案 mbr0520lt1g 收录日期: 2026 年 10 月 27 日
生命周期: 量产中
供货风险: 低
厂商规格书摘录
| 类型 | 肖特基整流二极管,低压降 |
|---|---|
| 正向电流 | 90 °C 时连续 500 mA |
| 反向电压 | 20 V |
| 正向压降 | 10 mA 时典型 0.25 V,500 mA 时最大 0.385 V |
| 反向恢复 | 无反向恢复 |
| 结电容 | 0 V 时典型 60 pF |
| 公差 | Not applicable (Schottky grade) |
| 额定电压 / 应力 | 20 V reverse |
| 生命周期 | 量产中 |
| 规格书出处 | onsemi MBR0520L datasheet, rev. 2022-07, fig. 2 forward voltage vs instantaneous current and the thermal resistance table |
|---|---|
| 厂商 | onsemi |
| 安装方式 | SMD |
3 替代型号
本档案的可互换型号。实心节点表示本站已收录档案;空心节点是有效替代但尚未收录。
MBR0520LT3G 尚未收录
同一器件,13 英寸卷带而非 7 英寸。纯包装差异;当产线供料器按大卷配置而拒收小卷时有用。
PMEG2010AEH 尚未收录
Nexperia 20 V 1 A 肖特基,1 A 时 0.34 V,结电容更低。同类 SOD-123 本体但电流更大;因焊盘不同请核对散热焊盘要求。
BAT54S 已收录
不是替代品——30 V 但仅 200 mA,且为串联对管拓扑。列在此处是因为密集板上 SOD-123 与 SOT-23 外形常被混淆,由此带来的 200 mA 限制是真实失效模式。
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电池供电设计中,二极管压降常是最大的固定损耗。10 mA 时此器件压降 0.25 V,而 1N4148 为 0.72 V,每只省 4.7 mW。在 3.7 V 锂电池给 3.3 V 轨供电时,这个差别就是轻载效率 89 % 与 93 % 之间的差距。
12 V 轨上用 20 V 肖特基只剩 8 V 裕量,对干净的电源够用,对会振铃的电源不够。12 V 轨若因继电器线圈产生 5 V 感性反冲就会超过 20 V 并损坏二极管。凡电源轨可能出现感性瞬态的地方,即使稳态只有 5 V,也应选 30 V 或 40 V 器件。
500 mA 额定在 90 °C 下给出,意味着约 0.2 W 耗散,而 SOD-123 只有在焊盘铜量足够时才勉强能承受这样的壳温上升。onsemi 给出最小焊盘下结到环境约 220 °C/W,0.2 W 即 44 °C 温升。若二极管需连续 500 mA,请给 50 mm² 铜面积或改用 SMB 封装。
Vishay Semiconductors — https://www.vishay.com/docs/81857/1n4148.pdf · Texas Instruments — https://www.ti.com/lit/an/slva840/slva840.pdf · NIST — https://www.nist.gov/standardsgov/compliance-faqs-rohs
| 采购与供货 — 供货风险 | SOD-123 的 20 V 500 mA 肖特基由 onsemi、Vishay、Nexperia 及多家亚洲厂商生产。因耐压仅 20 V,此器件几乎只用于 5 V 与 3.3 V 轨,需求尖峰有限,现货可靠。 |
|---|---|
| 引脚与操作 | 有极性:色带端为负极。做 ORing 时两个阳极朝向各自电源、阴极并接于输出;装反一只意味着只要另一路电源有电,该路就被短接到输出。两支管的压降与反向漏电应尽量配对,否则轻载时电流会全部走漏电较大的那一支,另一支形同虚设。 |
仅为工程信息。任何替代方案在定板前,都应与厂商规格书及你的实际工况核对。 本页不含任何采购报价或推荐供应商链接。