BZX84C5V1
Multiple (Nexperia, Vishay, onsemi, Diodes Inc) · 二极管 · SOT-23 (3-lead, 2 used) · SMD
档案 bzx84c5v1 收录日期: 2026 年 9 月 9 日
生命周期: 量产中
供货风险: 低
规格表
厂商规格书摘录
| 类型 | 齐纳二极管，标称 5.1 V |
|---|---|
| 齐纳电压 | 5 mA 时 4.8-5.4 V（C 后缀 = ±5 %） |
| 耗散功率 | 25 °C 环境 300 mW，降额 2.4 mW/°C |
| 动态阻抗 | 5 mA 时最大 60 Ω，1 mA 时最大 480 Ω |
| 温度系数 | 5 mA 附近 -1.4 mV/°C |
| 反向漏电 | 2 V 时最大 1 µA |
| 公差 | ±5 % (C suffix) |
| 额定电压 / 应力 | 5.1 V zener, 300 mW |
| 生命周期 | 量产中 |
| 规格书出处 | Nexperia BZX84 series datasheet, rev. 2023-11, Table 7 (Vz and impedance bins) and Fig. 5 (temperature coefficient vs Zz) |
|---|---|
| 厂商 | Multiple (Nexperia, Vishay, onsemi, Diodes Inc) |
| 安装方式 | SMD |
替代图谱
3 替代型号
本档案的可互换型号。实心节点表示本站已收录档案；空心节点是有效替代但尚未收录。
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BZX84B5V1 尚未收录
同一芯片的 ±2 % 公差版本。价格高约 20 %；当齐纳确实用于建立基准而不是保护栅极时，这是诚实的选择。
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MMBZ5231BLT1G 尚未收录
onsemi 5.1 V 225 mW 齐纳，同 SOT-23 外形。功率额定略低，其余可互换。若二极管做钳位而非基准，注意功率降额。
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TLZ5V1B 尚未收录
Vishay 5.1 V 齐纳，阻抗规格更紧、拐点电流更低。1 mA 下稳压更好，价格约 2 倍。若齐纳需在微安级偏置下维持电压则选它。
选型建议
本页为唯一正文，无其他段落
做基准时 5.1 V 优于 5.6 V 的说法要小心
经典齐纳的温度系数在约 5.6 V 处过零，5.1 V 处仍为负，约 -1.4 mV/°C，即 -0.027 %/°C，60 °C 温变下漂移 1.6 %——做栅极保护可以，做电压基准很差。需要真基准请用带隙器件；齐纳本质上是一个恰好有已知电压的钳位。
阻抗决定可用偏置范围
5 mA 时阻抗 60 Ω，1 mA 时变成 480 Ω，即同一只齐纳在小电流下稳压能力差八倍。用 100 kΩ 从 12 V 偏置的齐纳是很差的稳压器。实用规则：只要在意电压值，BZX84 的偏置电流至少给 2-5 mA，并接受 30-100 mW 的静态耗散。
钳位角色与 300 mW 上限
作为 MOSFET 栅极钳位时，齐纳要吸收关断期间栅极电路储存的能量。300 mW 连续、降额 2.4 mW/°C，70 °C 的板上只剩 192 mW 可用。12 V 驱动经 10 Ω 电阻打到 5.1 V 齐纳没问题（纳秒级约 0.5 W），持续过压则不行。若齐纳需长期承受钳位职责，应按实际功率而非脉冲选型。
Sources（参考来源）
Vishay Semiconductors — https://www.vishay.com/docs/81857/1n4148.pdf · Texas Instruments — https://www.ti.com/lit/an/slva840/slva840.pdf · NIST — https://www.nist.gov/standardsgov/compliance-faqs-rohs
| 采购与供货 — 供货风险 | 齐纳在各家 SOT-23 目录中都是大宗品；5.1 V 是最常见的两三个档位之一，因为它是最接近 5 V 轨的标准齐纳。无配额历史、无单点依赖，同一芯片有多家第二货源，替换时核对齐纳电压分档与测试电流即可，分档不同会直接改变稳压值。 |
|---|---|
| 引脚与操作 | 有极性：原理图中色带为阴极，SOT-23 中多数厂商使用的两脚为 1（阳极）与 3（阴极），2 脚空置或（部分版本）内部连到阴极。务必核对具体型号规格书中的 2 脚——各第二货源并不一致。 |
仅为工程信息。任何替代方案在定板前，都应与厂商规格书及你的实际工况核对。 本页不含任何采购报价或推荐供应商链接。