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1N4148W-7-F

Diodes Incorporated · 二极管 · SOD-123 · SMD

档案 1n4148w-7-f 收录日期: 2026 年 8 月 25 日

生命周期: 量产中
供货风险: 低

规格表

厂商规格书摘录

类型小信号开关二极管,硅
正向电流连续 150 mA,1 µs 浪涌 300 mA
反向电压100 V
正向压降10 mA 时典型 0.72 V,最大 1.0 V
反向恢复最大 4 ns
结电容0 V、1 MHz 时典型 2 pF
公差Vf bin ±0.1 V
额定电压 / 应力100 V reverse
生命周期 量产中
封装尺寸工程图:1N4148W-7-F SOD-123
SOD-123 封装尺寸线稿,单位为毫米。尺寸取自厂商规格书推荐焊盘一节。
规格书出处Diodes Incorporated 1N4148W datasheet, doc DS30017, rev. 2023-04, fig. 1 forward characteristics and fig. 4 capacitance vs reverse voltage
厂商Diodes Incorporated
安装方式SMD

替代图谱

3 替代型号

本档案的可互换型号。实心节点表示本站已收录档案;空心节点是有效替代但尚未收录。

选型建议

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4 ns 恢复时间是关键

1N4148 恢复时间 4 ns(per Vishay Semiconductors),可用作约 20 MHz 以内的信号钳位,也可做逻辑导向而不引入可见延迟。它的亲戚 1N4007 恢复时间为 2 µs,慢约 500 倍;用 1N4007 做快速钳位是经典错误,表现为示波器上失真的边沿。

钳位与 0.72 V 压降

10 mA 时正向压降约 0.72 V,这正是钳位后的结果:3.3 V 信号用 1N4148 钳到 3.3 V 轨可冲到 4.0 V,足以损坏绝对最大 3.6 V 的输入。0.35 V 的肖特基钳位正因此存在;当电源轨为 5 V 且被保护输入可容忍 0.8 V 过冲时,1N4148 才是正确选择。

反向漏电每 10 °C 翻倍

25 °C 下 75 V 时反向漏电 1 µA,可忽略;100 °C 时约 25-50 µA。在高阻节点上这个漏电就成了真实失调:50 µA 流过 100 kΩ 是 5 V,足以淹没任何分压。凡是二极管同时面对高阻与高温的地方,应改用小信号肖特基或重新考虑拓扑。

Sources(参考来源)

Vishay Semiconductors — https://www.vishay.com/docs/81857/1n4148.pdf · Texas Instruments — https://www.ti.com/lit/an/slva840/slva840.pdf · NIST — https://www.nist.gov/standardsgov/compliance-faqs-rohs

采购与供货 — 供货风险 1N4148 是全球第二货源最多的半导体,至少八家厂商生产兼容芯片。分销现货以百万片计,量价低于一美分,不存在这只料断供的现实场景。SOD-123 封装本身同样有多家第二货源,任何单独一家停产都不会影响这份 BOM 的可执行性。
引脚与操作 有极性:负极由本体上的色带标示。SOD-123 上是靠一端的印刷线;DO-35 通孔件上是涂色圆环。色带即负极,在钳位电路中接向电位更高的一端,在续流路径中接向电源。

仅为工程信息。任何替代方案在定板前,都应与厂商规格书及你的实际工况核对。 本页不含任何采购报价或推荐供应商链接。