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1N4007

Multiple (Vishay, onsemi, Diodes Inc, Taiwan Semi) · 二极管 · DO-41 axial, 2.7 x 5.2 mm body · Through-hole

档案 1n4007 收录日期: 2026 年 9 月 30 日

生命周期: 量产中
供货风险: 低

规格表

厂商规格书摘录

类型通用硅整流二极管
平均正向电流引线温度 75 °C 时 1 A
反向电压重复 1000 V,非重复 1000 V
正向压降1 A 时最大 1.0 V,典型 0.93 V
反向恢复典型 2 µs,最大 30 µs
浪涌电流8.3 ms 半正弦波单次 30 A
公差Not applicable (rectifier grade)
额定电压 / 应力1000 V reverse
生命周期 量产中
封装尺寸工程图:1N4007 DO-41 axial, 2.7 x 5.2 mm body
DO-41 axial, 2.7 x 5.2 mm body 封装尺寸线稿,单位为毫米。尺寸取自厂商规格书推荐焊盘一节。
规格书出处Vishay 1N4001-1N4007 datasheet, doc 88503, rev. 2022-09, fig. 2 forward characteristics and the surge rating note
厂商Multiple (Vishay, onsemi, Diodes Inc, Taiwan Semi)
安装方式Through-hole

替代图谱

3 替代型号

本档案的可互换型号。实心节点表示本站已收录档案;空心节点是有效替代但尚未收录。

选型建议

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不要把它当快恢复管用

反向恢复时间典型 2 µs、最坏 30 µs。50 Hz 整流里无所谓;在 50 kHz 开关电路中,开关导通时二极管仍在反向导通,等于对电源瞬时短路并产生尖峰,最终击穿开关管。若需要在开关场合用 1 A 1000 V 器件,请用 UF4007(75 ns)或 S1M。

30 A 浪涌与开机冲击

8.3 ms 半正弦单次 30 A 是非重复极限。变压器给 470 µF 储能电容充电时冲击电流 10 A,会在桥堆上形成单次 30-40 A 脉冲,正好卡在边缘。应加 5-10 Ω NTC 限流,或改用 3 A 整流桥;并记住浪涌额定不适用于重复脉冲。

1 A 下的热行为

1 A 额定是在引线温度 75 °C 下给出的,意味着引线必须焊进足够铜量以导走约 1 W。引线短、焊盘小时二极管会很热;1.0 V 压降意味着 DO-41 封装内耗散 1 W,而该封装结到环境约 30 °C/W,1 A 时温升约 30 °C。密集板子上应降额到 0.5 A。

Sources(参考来源)

Vishay Semiconductors — https://www.vishay.com/docs/81857/1n4148.pdf · NIST — https://www.nist.gov/standardsgov/compliance-faqs-rohs

采购与供货 — 供货风险 成熟大宗品,至少十余家厂商生产,含单价 0.01–0.02 美元的低成本亚洲货源。该型号的翻新与仿冒件比多数料号更常见,若用于市电场合请走授权分销。DO-41 封装在通孔产线收缩的背景下,更可能被轴向替代型号或贴片版本逐步取代,而不是真正消失。
引脚与操作 有极性:色带端为负极。桥式整流中四只二极管的常规画法是两只色带朝正输出、两只朝负轨;装反一只会在下一个半周造成变压器次级短路。整流桥模块内部已固定极性,替换单管时务必逐只确认色带方向,不要按模块的丝印推断。

仅为工程信息。任何替代方案在定板前,都应与厂商规格书及你的实际工况核对。 本页不含任何采购报价或推荐供应商链接。